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  <blog_title>Electronics Pick-up by Akira Fukuda</blog_title>
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    <anon>筆者の仕事</anon>
    <anon>エレクトロニクス企業の動向</anon>
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  <description>PCWatch様の特約で、現地レポートを掲載していただいております。 6日（火曜日）にはメインイベントの技術講演が始まりました。 「シリコン上に化合物レーザーと化合物FETを一体形成した光電子集積回路」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/1063914.html シリコン基板にモノリシック集積したGaAsレーザーとInGaAsトランジスタの両方が動くという、結構に画期的な成果です。温度20℃でレーザー発振を観測しています。やっとここまで来たか、と言いますか。感慨深いものがあります。 GaAsオンSi基板の技術解説を、だいぶ昔（1985年…</description>
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  <published>2017-06-07 02:19:37</published>
  <title>VLSIシンポジウム技術講演レポートが始まりました</title>
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