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  <blog_title>beetechの日記</blog_title>
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  <description>国産で初めて量産化に成功したロームのSiC SBD、SCS110AGについての特性評価及びデバイスモデリングを行います。SiCのショットキバリアダイオードのデバイスモデリングには、順方向特性 逆方向特性 容量特性 逆回復特性（この特性が存在する場合、通常はTT=0です）上記の特性図、波形データが必要になります。今回は常温での逆回復特性を測定致しました。測定方法は、IFIR法 です。測定条件は下記のようにしました。IF=0.2A IR=0.2A RL=50 ohmです。上記の写真が逆回復特性の波形になります。trr=28nsecです。trrの内訳は、trr=trj+trb=12n+16nです。S…</description>
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  <published>2010-10-14 16:43:48</published>
  <title>SiC SBDの逆回復特性(ローム：SCS110AG)の実験</title>
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