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  <blog_title>資格部</blog_title>
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    <anon>エンベデッドシステムスペシャリスト</anon>
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  <description>FeRAMの説明として，適切なものはどれか。 1ビットのメモリセルは4～6個のトランジスタで構成される。 データ保持のためリフレッシュが必要である。 バイト単位で書換えができず，ブロック単位で一括して書き換える。 フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く，書換え速度も高速にできる。 解答・解説 解答 エ 解説 ー 1ビットのメモリセルは4～6個のトランジスタで構成される。ー データ保持のためリフレッシュが必要である。ー バイト単位で書換えができず，ブロック単位で一括して書き換える。ー フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く，書換え速度も高速にできる。ー 参考書・問題集 参考情報 分野・分…</description>
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  <published>2023-04-26 15:52:45</published>
  <title>ES 平成28年度春期 問13</title>
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