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  <author_name>SpyBreak</author_name>
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  <blog_title>SpyBreak製作所</blog_title>
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    <anon>電子工作</anon>
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  <description>さて迷っている。 最終段をMOS-FETをドライバー段に使用したバイポーラ とするか、それともMOS-FETにするかである。 MOS-FETならばエンハンスメント特性であるから温度補償 の必要はないが、バイポーラトランジスタならばどうしても 温度補償が必要になってしまう。 温度補償の素子には何が良いか。 サーミスタかトランジスタかダイオードか？ ゲルマ世代の私は、温度補償というとすぐにサーミスタを 思い浮かべるが、バイアス回路がトランジスタで構成され るなら、必然的にトランジスタになる。 勿論、市販品でも過去の製作例でもトランジスタで行って いるので十分であろうと考えられる。 長く使うためには…</description>
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  <published>2005-06-12 22:06:08</published>
  <title>モニターアンプの設計メモ</title>
  <type>rich</type>
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