tomonari0423 https://blog.hatena.ne.jp/tomonari0423/ 技術者・研究者向けセミナー https://tomonari0423.hatenadiary.org/ パワーデバイスの最新技術を詳解する講座。中、高耐圧用途で最強のシリコンIGBTと今後期待されるSiC、GaNデバイスの最新動向をつかみ、製品開発に活かそう！ Si-IGBT最新技術とＳiＣ・ＧａＮデバイスの開発・最新動向共催：Ｒ＆Ｄ支援センター日時：2011年9月20日（火） 10：30〜17：30[講師の言葉]パワー半導体の将来を考える上での重要な課題として、シリコンデバイスからシリコンカーバイド（ＳｉＣ）やガリウムナイトライド（ＧａＮ）に代表されるワイドバンドギャップ化合物半導体にいつになったら移行するかというところにある。シリコンＩＧＢＴはトレンチＦＳ型の誕生で特性限界に近づきつつあり、… 190 <iframe src="https://hatenablog-parts.com/embed?url=https%3A%2F%2Ftomonari0423.hatenadiary.org%2Fentry%2F20110811%2F1313023263" title="Si-IGBT最新技術とＳiＣ・ＧａＮデバイスの開発・最新動向 - 技術者・研究者向けセミナー" class="embed-card embed-blogcard" scrolling="no" frameborder="0" style="display: block; width: 100%; height: 190px; max-width: 500px; margin: 10px 0px;"></iframe> Hatena Blog https://hatena.blog 2011-08-11 09:41:03 rich https://tomonari0423.hatenadiary.org/entry/20110811/1313023263 1.0 100%