tomonari0423 https://blog.hatena.ne.jp/tomonari0423/ 技術者・研究者向けセミナー https://tomonari0423.hatenadiary.org/ Czochralski(CZ)法におけるGrown-in欠陥、酸素析出、ゲッタリングや転位などに関する研究とそれを基に開発された制御技術を紹介する。また、第一原理計算や数値シミュレーションを用いた最先端の欠陥制御技術についてもわかりやすく解説！シリコン材料における欠陥制御の基礎と応用〜高品位化や強度向上への取り組み〜主催：Ｒ＆Ｄ支援センター【講座のポイント】 単結晶シリコンウェーハは、LSIの集積度に応じて高品位化や大口径化を達成し続けることで、LSI基板としてゆるぎない地位を維持しています。本セミナーでは、最近20年ほどの間に行われた欠陥に関する研究とその制御技術について、講師が携わったCz… 190 <iframe src="https://hatenablog-parts.com/embed?url=https%3A%2F%2Ftomonari0423.hatenadiary.org%2Fentry%2F20110831%2F1314750135" title="シリコン材料における欠陥制御の基礎と応用【大阪開催】 - 技術者・研究者向けセミナー" class="embed-card embed-blogcard" scrolling="no" frameborder="0" style="display: block; width: 100%; height: 190px; max-width: 500px; margin: 10px 0px;"></iframe> Hatena Blog https://hatena.blog 2011-08-31 09:22:15 rich https://tomonari0423.hatenadiary.org/entry/20110831/1314750135 1.0 100%