tomonari0423 https://blog.hatena.ne.jp/tomonari0423/ 技術者・研究者向けセミナー https://tomonari0423.hatenadiary.org/ SiCデバイスの高性能化に向けたエッチング、鏡面研磨技術を紹介！！ＳｉＣ基板のエッチング技術と平滑化〜ＳｉＣデバイス高性能化に向けた〜主催：Ｒ＆Ｄ支援センター日時：2012年5月31日（木） 12：30〜16：30【受講対象】 半導体産業関連、電子産業関連、フッ化物製造業関連、産業用ガス製造業関連、【習得知識】 三フッ化窒素の物性、三フッ化窒素の安全性、SiC基板のエッチング、SiC基板の平滑化ほか【講座のポイント】 最近、SiCが安定的に大口径化・量産化出来てきたことにより、次の加工プロセスが注目されている。 本講演では、NF3ガスおよびNF3/O2混合ガスプラズマ中でのSiC表面の平滑化機… 190 <iframe src="https://hatenablog-parts.com/embed?url=https%3A%2F%2Ftomonari0423.hatenadiary.org%2Fentry%2F20120419%2F1334812489" title="ＳｉＣ基板のエッチング技術と平滑化 - 技術者・研究者向けセミナー" class="embed-card embed-blogcard" scrolling="no" frameborder="0" style="display: block; width: 100%; height: 190px; max-width: 500px; margin: 10px 0px;"></iframe> Hatena Blog https://hatena.blog 2012-04-19 14:14:49 rich https://tomonari0423.hatenadiary.org/entry/20120419/1334812489 1.0 100%